SI6562CDQ-T1-BE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI6562CDQ-T1-BE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
Πακέτο	8-TSSOP
Σε απόθεμα	274523 pcs
Φύλλο δεδομένων	SI6562CDQ

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.357	$0.32	$0.249	$0.206	$0.163

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 274523 κομμάτια του Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-BE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-TSSOP
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Ισχύς - Max	1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	23nC @ 10V, 51nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό	-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Διαμόρφωση	N and P-Channel
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI6562