SI7101DN-T1-GE3
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SI7101DN-T1-GE3 |
---|---|
Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
Πακέτο | PowerPAK® 1212-8 |
Σε απόθεμα | 157997 pcs |
Φύλλο δεδομένων | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022SI7101DN |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.47 | $0.42 | $0.327 | $0.27 | $0.213 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 157997 κομμάτια του Vishay Siliconix SI7101DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® 1212-8 |
Σειρά | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® 1212-8 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3595 pF @ 15 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
FET Τύπος | P-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | SI7101 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SI7060-B-00-IVR
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7060-B-03-IV
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7108DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7060-B-03-IVR
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7104DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SI7100DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SI7106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7106DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7102DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7107DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7060-B-01-IVR
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7104DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SI7100DN-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7060-B-02-IV
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7060-B-02-IVR
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7060-EVB
SI7060 EVALUATION BOARDSilicon Labs -
SI7060-B-01-IV
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs