Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI7190DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7190DP-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI7190DP-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Πακέτο PowerPAK® SO-8
Σε απόθεμα 115625 pcs
Φύλλο δεδομένων New Solder Plating Site 18/Apr/2023SI7190DP
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.722 $0.65 $0.522 $0.429 $0.356
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 115625 κομμάτια του Vishay Siliconix SI7190DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SO-8
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 118mOhm @ 4.4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SO-8
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2214 pF @ 125 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 72 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 250 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 18.4A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI7190

Συνιστώμενα προϊόντα

SI7190DP-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων