Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI7252DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7252DP-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI7252DP-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Πακέτο PowerPAK® SO-8 Dual
Σε απόθεμα 80249 pcs
Φύλλο δεδομένων New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023Si7252DP
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.875 $0.786 $0.632 $0.519 $0.43
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 80249 κομμάτια του Vishay Siliconix SI7252DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SO-8 Dual
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 15A, 10V
Ισχύς - Max 46W
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1170pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 36.7A
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI7252

Συνιστώμενα προϊόντα

SI7252DP-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων