Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI7405BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7405BDN-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI7405BDN-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Πακέτο PowerPAK® 1212-8
Σε απόθεμα 6900 pcs
Φύλλο δεδομένων Multiple Devices 14/Mar/2018SI7405BDN
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 6900 κομμάτια του Vishay Siliconix SI7405BDN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 1212-8
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 13.5A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® 1212-8
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 6 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 115 nC @ 8 V
FET Τύπος P-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 12 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI7405

Συνιστώμενα προϊόντα

SI7405BDN-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Loading...