Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI8416DB-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI8416DB-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI8416DB-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 8V 16A 6MICROFOOT
Πακέτο 6-microfoot
Σε απόθεμα 5671 pcs
Φύλλο δεδομένων Material ComplianceSI8416DB
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5671 κομμάτια του Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Vgs (Max) ±5V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 6-microfoot
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση 6-UFBGA
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 4 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 8 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI8416

Συνιστώμενα προϊόντα

SI8416DB-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων