Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI8483DB-T2-E1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI8483DB-T2-E1
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Πακέτο	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Σε απόθεμα	400483 pcs
Φύλλο δεδομένων	Material Compliance SI8483DB-T2-E1

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.212	$0.181	$0.135	$0.106	$0.082

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 400483 κομμάτια του Vishay Siliconix SI8483DB-T2-E1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	6-UFBGA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1840 pF @ 6 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	65 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	12 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI8483