Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI8812DB-T2-E1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI8812DB-T2-E1
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Πακέτο	4-Microfoot
Σε απόθεμα	673982 pcs
Φύλλο δεδομένων	Material Compliance Si8812DB

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.155	$0.134	$0.1	$0.079	$0.061

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 673982 κομμάτια του Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±5V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	4-Microfoot
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 1A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	500mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	4-UFBGA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	17 nC @ 8 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI8812