Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI9945BDY-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI9945BDY-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Πακέτο	8-SOIC
Σε απόθεμα	239965 pcs
Φύλλο δεδομένων	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 SI9945BDY

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.308	$0.277	$0.216	$0.178	$0.141

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 239965 κομμάτια του Vishay Siliconix SI9945BDY-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SOIC
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.3A, 10V
Ισχύς - Max	3.1W
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	665pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	20nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό	Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	5.3A
Διαμόρφωση	2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI9945