Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SIA777EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA777EDJ-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIA777EDJ-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Πακέτο PowerPAK® SC-70-6 Dual
Σε απόθεμα 5154 pcs
Φύλλο δεδομένων SIA777EDJ
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5154 κομμάτια του Vishay Siliconix SIA777EDJ-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SC-70-6 Dual
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Ισχύς - Max 5W, 7.8W
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SC-70-6 Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 2.2nC @ 5V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20V, 12V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 1.5A, 4.5A
Διαμόρφωση N and P-Channel
Αριθμός προϊόντος βάσης SIA777

Συνιστώμενα προϊόντα

SIA777EDJ-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το SIA777EDJ-T1-GE3

Σχετικά μέρη για το SIA777EDJ-T1-GE3