Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIHB12N60ET5-GE3
Vishay Siliconix

SIHB12N60ET5-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIHB12N60ET5-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Πακέτο D²PAK (TO-263)
Σε απόθεμα 76955 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
800
$0.463
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 76955 κομμάτια του Vishay Siliconix SIHB12N60ET5-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή D²PAK (TO-263)
Σειρά E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 147W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 937 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 58 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIHB12

Συνιστώμενα προϊόντα

SIHB12N60ET5-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το SIHB12N60ET5-GE3

Σχετικά μέρη για το SIHB12N60ET5-GE3