Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIHB24N65E-E3
Vishay Siliconix

SIHB24N65E-E3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIHB24N65E-E3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Πακέτο D²PAK (TO-263)
Σε απόθεμα 35553 pcs
Φύλλο δεδομένων SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1000
$1.124
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 35553 κομμάτια του Vishay Siliconix SIHB24N65E-E3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή D²PAK (TO-263)
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 12A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 250W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2740 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 122 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIHB24

Συνιστώμενα προϊόντα

SIHB24N65E-E3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων