Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIHF9Z24STRR-GE3
Vishay Siliconix

SIHF9Z24STRR-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIHF9Z24STRR-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET P-CHANNEL 60V
Πακέτο D²PAK (TO-263)
Σε απόθεμα 157498 pcs
Φύλλο δεδομένων IRF9Z24S, SiHF9Z24S
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100
$0.423 $0.378 $0.295
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 157498 κομμάτια του Vishay Siliconix SIHF9Z24STRR-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή D²PAK (TO-263)
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.6A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 19 nC @ 10 V
FET Τύπος P-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

SIHF9Z24STRR-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων