Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIHH26N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH26N60E-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIHH26N60E-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Πακέτο PowerPAK® 8 x 8
Σε απόθεμα 39269 pcs
Φύλλο δεδομένων SIHH26N60E
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$2.024 $1.818 $1.489 $1.268 $1.069
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 39269 κομμάτια του Vishay Siliconix SIHH26N60E-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 8 x 8
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 13A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 202W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση 8-PowerTDFN
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2815 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 116 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIHH26

Συνιστώμενα προϊόντα

SIHH26N60E-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων