SIR188LDP-T1-RE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SIR188LDP-T1-RE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Πακέτο	PowerPAK® SO-8
Σε απόθεμα	141418 pcs
Φύλλο δεδομένων	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 Mult Dev 07/Jun/2023 New solder paste 26/May/2023 SIR188LDP

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.586	$0.525	$0.409	$0.338	$0.267

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 141418 κομμάτια του Vishay Siliconix SIR188LDP-T1-RE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PowerPAK® SO-8
Σειρά	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.75mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	PowerPAK® SO-8
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 30 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	52 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	25.8A (Ta), 93.6A (Tc)