SIR494DP-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SIR494DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8 |
| Πακέτο | PowerPAK® SO-8 |
| Σε απόθεμα | 6458 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Multiple Devices 14/Mar/2018Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014SIR494DP |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 6458 κομμάτια του Vishay Siliconix SIR494DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8 |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 6 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 12 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SIR494 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SIR5108DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR472ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR484DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR468DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR496DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR516DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR5110DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR512DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR474DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR5102DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR5112DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR474DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR514DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR500DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFETVishay Siliconix -
SIR472DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8Vishay Siliconix