SIR606DP-T1-GE3
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SIR606DP-T1-GE3 |
---|---|
Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 |
Πακέτο | PowerPAK® SO-8 |
Σε απόθεμα | 145334 pcs |
Φύλλο δεδομένων | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR606DP |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.631 | $0.564 | $0.439 | $0.363 | $0.287 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 145334 κομμάτια του Vishay Siliconix SIR606DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8 |
Σειρά | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 15A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 44.5W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 50 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 22 nC @ 6 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | SIR606 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SIR578DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR580DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR5808DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR584DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR616DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR626ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAKVishay Siliconix -
SIR624DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAKVishay Siliconix -
SIR618DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAKVishay Siliconix -
SIR586DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR588DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR624DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR622DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAKVishay Siliconix -
SIR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAKVishay Siliconix -
SIR626DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR576DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix