SIR808DP-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SIR808DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 |
| Πακέτο | PowerPAK® SO-8 |
| Σε απόθεμα | 6492 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | SIR808DP-T1-GE3Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 6492 κομμάτια του Vishay Siliconix SIR808DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8 |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 17A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 29.8W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 815 pF @ 12.5 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 22.8 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 25 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SIR808 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SIR788DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR812DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR774DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30VVishay Siliconix -
SIR802DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAKVishay Siliconix -
SIR804DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAKVishay Siliconix -
SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAKVishay Siliconix -
SIR800DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR818DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR814DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR836DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR770DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR820DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAKVishay Siliconix -
SIR798DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix