Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SIZ900DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ900DT-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIZ900DT-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Πακέτο 6-PowerPair™
Σε απόθεμα 4575 pcs
Φύλλο δεδομένων Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SIZ900DT
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 4575 κομμάτια του Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 6-PowerPair™
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Ισχύς - Max 48W, 100W
Συσκευασία / υπόθεση 6-PowerPair™
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 24A, 28A
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Half Bridge)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIZ900

Συνιστώμενα προϊόντα

SIZ900DT-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το SIZ900DT-T1-GE3

Σχετικά μέρη για το SIZ900DT-T1-GE3