Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SQD100N02_3M5L4GE3
Vishay Siliconix

SQD100N02_3M5L4GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SQD100N02_3M5L4GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Πακέτο TO-252AA
Σε απόθεμα 135471 pcs
Φύλλο δεδομένων SQD100N02-3M5L
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
2500
$0.25
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 135471 κομμάτια του Vishay Siliconix SQD100N02_3M5L4GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-252AA
Σειρά Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 83W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 110 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SQD100

Συνιστώμενα προϊόντα

SQD100N02_3M5L4GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων