SQM110N05-06L_GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SQM110N05-06L_GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 |
| Πακέτο | TO-263 (D²Pak) |
| Σε απόθεμα | 54392 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | New Ordering Code 19/Mar/2015SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.086 | $0.974 | $0.783 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 54392 κομμάτια του Vishay Siliconix SQM110N05-06L_GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-263 (D²Pak) |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 157W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4440 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 55 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SQM110 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SQM10SJB-8R2
RES 8.2 OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM10SJB-82K
RES 82K OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM10SJB-910R
RES 910 OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM10SJB-9R1
RES 9.1 OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM10SJB-91K
RES 91K OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM10SJB-82R
RES 82 OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM10SJB-9K1
RES 9.1K OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263Vishay Siliconix -
SQM10SJB-820R
RES 820 OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM110P04-04L-GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N06-06_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N02-1M3L_GE3
MOSFET N-CH 20V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N06-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N04-1M7_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM120N04-1M9_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM10SJB-91R
RES 91 OHM 5% 10W RADIALYAGEO -
SQM120N04-1M4L_GE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQM120N03-1M5L_GE3
MOSFET N-CH 30V 120A TO263Vishay Siliconix -
SQM10SJB-8K2
RES 8.2K OHM 5% 10W RADIALYAGEO