SQR50N04-3M8_GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SQR50N04-3M8_GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Πακέτο	D-PAK (TO-252)
Σε απόθεμα	104227 pcs
Φύλλο δεδομένων	SQR50N04-3M8

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.673	$0.604	$0.486	$0.399	$0.331

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 104227 κομμάτια του Vishay Siliconix SQR50N04-3M8_GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D-PAK (TO-252)
Σειρά	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	136W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	6700 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	105 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	40 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SQR50