SQS660CENW-T1_GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SQS660CENW-T1_GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) |
| Πακέτο | PowerPAK® 1212-8W |
| Σε απόθεμα | 255879 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.375 | $0.33 | $0.253 | $0.2 | $0.16 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 255879 κομμάτια του Vishay Siliconix SQS660CENW-T1_GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® 1212-8W |
| Σειρά | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 7A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 62.5W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® 1212-8W |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SQS482EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SQS840EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SQS481ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SQS840EN-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQSA70CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)Vishay Siliconix -
SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)Vishay Siliconix -
SQS484EN-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8Vishay Siliconix -
SQS482EN-T1_BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQS482ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8WVishay Siliconix -
SQS484EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SQS840CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8WVishay Siliconix -
SQS850EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SQS486CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)Vishay Siliconix -
SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET N-CHAN 60VVishay Siliconix -
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SQS484CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8WVishay Siliconix -
SQS944ENW-T1_GE3
MOSFET N-CHAN 40VVishay Siliconix -
SQS850EN-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SQS484ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix