W979H2KBQX2E
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | W979H2KBQX2E |
---|---|
Κατασκευαστής | Winbond Electronics |
Λεπτομερής περιγραφή | IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA |
Πακέτο | 168-WFBGA (12x12) |
Σε απόθεμα | 4919 pcs |
Φύλλο δεδομένων | W979H(2,6)KB2.73KHzCylindrical Battery Holders2.73KHz |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Winbond Electronics.Έχουμε τα 4919 κομμάτια του Winbond Electronics W979H2KBQX2E σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page | 15ns |
Τάσης - Προμήθεια | 1.14V ~ 1.95V |
Τεχνολογία | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 168-WFBGA (12x12) |
Σειρά | - |
Συσκευασία / υπόθεση | 168-WFBGA |
Πακέτο | Tray |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -25°C ~ 85°C (TC) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Τύπος μνήμης | Volatile |
Μέγεθος μνήμης | 512Mbit |
Οργάνωση μνήμης | 16M x 32 |
Διασύνδεση μνήμης | Parallel |
Μορφή μνήμης | DRAM |
Συχνότητα ρολογιού | 400 MHz |
Αριθμός προϊόντος βάσης | W979H2 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
W978H6KBVX1I TR
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX1E
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX1E TR
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX2I
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX2E
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX1I
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H6KBQX2E
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX2E TR
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX2E
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX1E
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBQX2E
IC DRAM 256MBIT PAR 168WFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX2I TR
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX1I
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBVX2I
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBQX2I
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGAWinbond Electronics -
W979H2KBVX2E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGAWinbond Electronics -
W978H6KBQX2I
IC DRAM 256MBIT PAR 168WFBGAWinbond Electronics