Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

FCB110N65F

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FCB110N65F
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Πακέτο	D²PAK (TO-263)
Σε απόθεμα	24120 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS Description Chg 01/Apr/2016 Logo 17/Aug/2017 Mult Devices 24/Oct/2017 Assembly Change 09/May/2023 TO263 31/Aug/2016 FCB110N65F

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$2.39	$2.158	$1.787

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 24120 κομμάτια του onsemi FCB110N65F σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 3.5mA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK (TO-263)
Σειρά	FRFET®, SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 17.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	357W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	4895 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	145 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	FCB110