Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

FCB199N65S3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FCB199N65S3
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Πακέτο	D²PAK (TO-263)
Σε απόθεμα	37753 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS Logo 17/Aug/2017 Mult Devices 24/Oct/2017 Assembly Change 09/May/2023 SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019 FCB199N65S3

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$1.436	$1.289	$1.056

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 37753 κομμάτια του onsemi FCB199N65S3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.4mA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK (TO-263)
Σειρά	SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs	199mOhm @ 7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	98W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1225 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	30 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	14A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	FCB199