FQB34N20TM-AM002
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQB34N20TM-AM002 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 3790 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSFQB34N20Multiple Parts 23/Jun/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 3790 κομμάτια του onsemi FQB34N20TM-AM002 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 15.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 200 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQB34N20 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQB34N20LTM
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKonsemi -
FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB34N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB3N25TM
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAKonsemi -
FQB33N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKonsemi -
FQB30N06TM
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAKonsemi -
FQB32N20CTM
MOSFET N-CH 200V 28A D2PAKonsemi -
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKonsemi -
FQB3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAKonsemi -
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAKonsemi -
FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAKonsemi -
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB34N20TM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor