FQB33N10LTM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQB33N10LTM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 55324 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSMultiple Parts 23/Jun/2022FQB33N10L |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 |
|---|
| $0.627 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 55324 κομμάτια του onsemi FQB33N10LTM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 16.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.75W (Ta), 127W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 40 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQB33N10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQB2P25TM
MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB34N20TM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQB3N25TM
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAKonsemi -
FQB34N20LTM
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKonsemi -
FQB2NA90TM
MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAKonsemi -
FQB30N06TM
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAKonsemi -
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKonsemi -
FQB30N06LTM
MOSFET N-CH 60V 32A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAKonsemi -
FQB34N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB33N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FQB34N20TM-AM002
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKonsemi -
FQB2P40TM
MOSFET P-CH 400V 2A D2PAKonsemi -
FQB32N20CTM
MOSFET N-CH 200V 28A D2PAKonsemi -
FQB2P25TM
MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAKonsemi -
FQB2P40TM
MOSFET P-CH 400V 2A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB34P10TM
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAKonsemi -
FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAKFairchild Semiconductor