Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FQI9N25CTU
onsemi

FQI9N25CTU

Αριθμός μέρους κατασκευαστή FQI9N25CTU
Κατασκευαστής onsemi
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Πακέτο I2PAK (TO-262)
Σε απόθεμα 6016 pcs
Φύλλο δεδομένων FQB9N25C, FQI9N25Consemi REACHonsemi RoHS
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6016 κομμάτια του onsemi FQI9N25CTU σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή I2PAK (TO-262)
Σειρά QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.13W (Ta), 74W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 35 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 250 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 8.8A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης FQI9

Συνιστώμενα προϊόντα

FQI9N25CTU Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων