Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NTB082N65S3F

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NTB082N65S3F
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Πακέτο	D²PAK (TO-263)
Σε απόθεμα	17892 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS onsemi REACH Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021 SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019 Wafer Fab Change 17/May/2023 NTB082N65S3F

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$3.314	$2.992	$2.477

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 17892 κομμάτια του onsemi NTB082N65S3F σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK (TO-263)
Σειρά	SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	313W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	3410 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	81 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NTB082