Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NTB110N65S3HF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NTB110N65S3HF
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Πακέτο	D²PAK-3 (TO-263-3)
Σε απόθεμα	18643 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS onsemi REACH Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021 Wafer Fab Change 17/May/2023 NTB110N65S3HF

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$2.385	$2.141	$1.754

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 18643 κομμάτια του onsemi NTB110N65S3HF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 740µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK-3 (TO-263-3)
Σειρά	FRFET®, SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	240W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2635 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	62 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NTB110