IMZA65R048M1HXKSA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IMZA65R048M1HXKSA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| Πακέτο | PG-TO247-4-3 |
| Σε απόθεμα | 8314 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $6.358 | $5.844 | $4.935 | $4.39 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 8314 κομμάτια του Infineon Technologies IMZA65R048M1HXKSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 6mA |
| Vgs (Max) | +23V, -5V |
| Τεχνολογία | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO247-4-3 |
| Σειρά | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 20.1A, 18V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 125W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-4 |
| Πακέτο | Tube |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1118 pF @ 400 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 33 nC @ 18 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 650 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IMZA65 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IMZA65R039M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZA65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZA65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMZA65R057M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZ1AS-AU_S1_000A1
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc. -
IMZ1AS_S1_00001
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc. -
IMZA120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZA65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMZA120R040M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZ4T108
TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMTRohm Semiconductor -
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4Infineon Technologies -
IMZ120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4Infineon Technologies -
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMZ2A_R1_00001
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc. -
IMZ2AT108
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMTRohm Semiconductor -
IMZ9972BA
IMZ9972BACypress Semiconductor Corp -
IMZA120R007M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZA65R083M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZA120R020M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZ1AT108
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMTRohm Semiconductor