IPB051NE8NG
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB051NE8NG |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Πακέτο | PG-TO263-3-2 |
| Σε απόθεμα | 55175 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 183 |
|---|
| $0.621 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 55175 κομμάτια του Infineon Technologies IPB051NE8NG σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3-2 |
| Σειρά | OptiMOS™2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 300W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 12100 pF @ 40 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 85 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB051NE8NGATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB050N06NGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB054N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB054N06N3G
IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB052N04NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB049NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB057N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAKInfineon Technologies -
IPB055N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB055N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB04N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB05CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB052N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB04N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies