IPB052N04NGATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB052N04NGATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 6547 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMultiple Devices 26/Jul/2012IPB052N04N G |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6547 κομμάτια του Infineon Technologies IPB052N04NGATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 33µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 70A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 79W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 20 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB052N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB050N06NGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB05CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB055N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB054N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB054N06N3G
IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB04N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB057N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB05N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB051NE8NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB04N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB055N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB051NE8NGATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB05N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB052N04NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies