IPB072N15N3GATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB072N15N3GATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 |
| Πακέτο | PG-TO263-3-2 |
| Σε απόθεμα | 30156 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.532 | $2.273 | $1.863 | $1.586 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 30156 κομμάτια του Infineon Technologies IPB072N15N3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3-2 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 300W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 5470 pF @ 75 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 150 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB072 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB072N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N03L G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06P001LATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3Infineon Technologies -
IPB081N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB075N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB075N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB06N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB065N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7Infineon Technologies -
IPB070N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies