IPB090N06N3GATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB090N06N3GATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 145863 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $0.467 | $0.419 | $0.327 | $0.27 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 145863 κομμάτια του Infineon Technologies IPB090N06N3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 71W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB090 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB09N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB097N08N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAKInfineon Technologies -
IPB093N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB081N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB097N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAKInfineon Technologies -
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB097N08N3GATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB085N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263Infineon Technologies -
IPB09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB080N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A D2PAKInfineon Technologies -
IPB096N03LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A D2PAKInfineon Technologies -
IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03L G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies