IPB200N25N3GATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 20639 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $3.269 | $2.954 | $2.446 | $2.13 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 20639 κομμάτια του Infineon Technologies IPB200N25N3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 300W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 250 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB200 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB240N04S4R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P4L02ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P403ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB240N03S4LR8ATMA1928
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB240N03S4LR8ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB230N06L3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB200N15N3
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB22N03S4L-15ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB22N03S4L-15
IPB22N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB240N04S41R0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB200N15N3G
IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB22N03S4L15ATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3Infineon Technologies -
IPB230N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAKInfineon Technologies