IPB35N10S3L26ATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 101387 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Wafer Test Add 27/Apr/2017 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $0.759 | $0.681 | $0.548 | $0.45 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 101387 κομμάτια του Infineon Technologies IPB35N10S3L26ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.3mOhm @ 35A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 71W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB35N10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB45N06S3-16
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB45N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB35N12S3L26ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPB34CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A D2PAKInfineon Technologies -
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB320P10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAKInfineon Technologies -
IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3Infineon Technologies -
IPB330P10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB260N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAKInfineon Technologies -
IPB26CN10N
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB45N06S3L-13
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB45N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH 300V 44A D2PAKInfineon Technologies -
IPB260N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB45N04S4L-08
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB45N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB45N06S4L08ATMA3
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Infineon Technologies