IPB80N06S2H5ATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB80N06S2H5ATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Πακέτο | PG-TO263-3-2 |
| Σε απόθεμα | 5711 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5711 κομμάτια του Infineon Technologies IPB80N06S2H5ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3-2 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 300W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 55 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB80N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB80N06S2H5AUMA1
IC MOSFET N-CH TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S403JEATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB80N06S209ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S207ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S208ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S209ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L-11
IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPB80N06S2L09ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies