IPB80N06S2L09ATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB80N06S2L09ATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Πακέτο | PG-TO263-3-2 |
| Σε απόθεμα | 6460 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideWafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6460 κομμάτια του Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 125µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3-2 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 52A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 190W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2620 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 55 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB80N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB80N06S2L11ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2LH5
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S3L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L09ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L-11
IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPB80N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5AUMA1
IC MOSFET N-CH TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2LH5ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L11ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB80N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Infineon Technologies