IPD053N06N3GBTMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD053N06N3GBTMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 5197 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | IPD053N06N3 GPart Number GuideMultiple Devices 26/Jul/2012 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5197 κομμάτια του Infineon Technologies IPD053N06N3GBTMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 58µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 90A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 115W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD053N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD050N03L G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD052N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD055N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies