IPD060N03LGBTMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD060N03LGBTMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 288889 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | IP(D,F,S,U)060N03L GPart Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 2500 | 5000 | 12500 | 25000 |
|---|---|---|---|
| $0.135 | $0.126 | $0.121 | $0.118 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 288889 κομμάτια του Infineon Technologies IPD060N03LGBTMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 56W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD060 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LGINCT
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD055N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD053N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P002NATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P002NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD068N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD068P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3Infineon Technologies