IPD15N06S2L64ATMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD15N06S2L64ATMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 |
Πακέτο | PG-TO252-3-11 |
Σε απόθεμα | 5904 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019IPD15N06S2L-64 24/Sept/2010 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5904 κομμάτια του Infineon Technologies IPD15N06S2L64ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3-11 |
Σειρά | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 13A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 47W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 354 pF @ 25 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 55 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD15N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD16CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR40M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD14T1NGR15M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31Infineon Technologies -
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31Infineon Technologies -
IPD180N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR30M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3Infineon Technologies -
IPD18DP10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR7M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD14T1NGR1M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD14T1NGR5M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD170N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD180N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR20M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD14T1NGR2M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD160N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD160N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD1928497938-EF01
DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 8TE Connectivity -
IPD14T1NGR25M
CONNECTORPanduit Corp