IPD135N03LGXT
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD135N03LGXT |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 6757 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | IP(D,F,S,U)135N03L GPart Number GuideMultiple Devices 26/Jul/2012 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6757 κομμάτια του Infineon Technologies IPD135N03LGXT σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 30A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 31W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD135N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CN10NG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD12CN10N
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14N06S280ATMA1
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR15M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOSInfineon Technologies -
IPD14N06S2-80
IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD130N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD14T1NGR1M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR20M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD135N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD135N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD144N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31Infineon Technologies