IPD65R650CEATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD65R650CEATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 6658 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Devices EOL 31/Aug/2017 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6658 κομμάτια του Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 86W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 650 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 10.1A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD65R |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD65R600E6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R600E6
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD65R420CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO251-3Infineon Technologies -
IPD65R600C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R600C6ATMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD65R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R950CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R660CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R950CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R420CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R950CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R660CFD
IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMOInfineon Technologies -
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R420CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R420CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD65R660CFDATMA2
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313Infineon Technologies -
IPD65R600E6TR
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD65R660CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3Infineon Technologies