IPD70R2K0CEAUMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD70R2K0CEAUMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 3879 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Site Chgs 13/Oct/2020Mult Dev EOL 8/Feb/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 3879 κομμάτια του Infineon Technologies IPD70R2K0CEAUMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 42W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 163 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 700 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD70 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31Infineon Technologies -
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3Infineon Technologies -
IPD78CN10NG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
IPD70P04P409ATMA1
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70N12S3-11
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD75N04S406
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD70R600CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R950CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD78CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70N12S3L12ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPD70P04P4L08ATMA2
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD75N04S4-06
IPD75N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3Infineon Technologies