IPS60R1K0PFD7SAKMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPS60R1K0PFD7SAKMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
Πακέτο	PG-TO251-3
Σε απόθεμα	256564 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev A/T Chgs 18/Oct/2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000	10000
$0.339	$0.305	$0.238	$0.196	$0.155	$0.145	$0.137	$0.132

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 256564 κομμάτια του Infineon Technologies IPS60R1K0PFD7SAKMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO251-3
Σειρά	CoolMOS™PFD7
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	26W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	230 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	6 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4.7A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IPS60R1