IPS60R210PFD7SAKMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPS60R210PFD7SAKMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3
Πακέτο	PG-TO251-3
Σε απόθεμα	113522 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev A/T Chgs 18/Oct/2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000	10000
$0.808	$0.727	$0.584	$0.48	$0.398	$0.37	$0.357	$0.347

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 113522 κομμάτια του Infineon Technologies IPS60R210PFD7SAKMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 240µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO251-3
Σειρά	CoolMOS™PFD7
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210mOhm @ 4.9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	64W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1015 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	23 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IPS60R