Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF630NPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF630NPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Πακέτο	TO-220AB
Σε απόθεμα	203019 pcs
Φύλλο δεδομένων	IR Part Numbering System Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017 Mult Dev Label Chgs Aug/2020 Tube Pkg Qty Std Rev 18/Aug/2016 Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019 Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000	10000
$0.492	$0.439	$0.343	$0.283	$0.223	$0.208	$0.198	$0.191

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 203019 κομμάτια του Infineon Technologies IRF630NPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220AB
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 5.4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	82W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	575 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	35 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	9.3A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRF630