Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF630NSTRRPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF630NSTRRPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Πακέτο	D2PAK
Σε απόθεμα	5039 pcs
Φύλλο δεδομένων	IR Part Numbering System Package Drawing Update 19/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 Copper Plating Update 31/Aug/2015 Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Pkg Type Disc 16/May/2016

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5039 κομμάτια του Infineon Technologies IRF630NSTRRPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D2PAK
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 5.4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	82W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	575 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	35 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	9.3A (Tc)